锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BC635-16、BC635ZL1、BC635对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC635-16 BC635ZL1 BC635

描述 NPN型中功率晶体管 NPN medium power transistorsTO-92 NPN 45V 1A625mW PNP complementary silicon transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Micro Electronics

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SPT TO-226-3 -

安装方式 - Through Hole -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

额定电压(DC) - 45.0 V -

额定电流 - 1.00 A -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 2V -

额定功率(Max) - 625 mW -

封装 SPT TO-226-3 -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Box -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -