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JAN1N5521B-1、LVA343A、1N5521BLEADFREE对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5521B-1 LVA343A 1N5521BLEADFREE

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWLow Voltage Avalanche ZenerPZener Diode, 4.3V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 -

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1V @200mA - -

耗散功率 417 mW - -

测试电流 20 mA 20 mA -

稳压值 4.3 V 4.3 V -

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -