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IRF830AS、IRF830ASTRL、IRF830ASPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF830AS IRF830ASTRL IRF830ASPBF

描述 MOSFET N-CH 500V 5A D2PAKMOSFET N-CH 500V 5A D2PAKMOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3100 mW

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc)

上升时间 - - 21 ns

下降时间 - - 15 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free