JAN1N4115C、JANS1N4115-1对比区别
描述 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类
基础参数对比
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 DO-35 DO-35
耗散功率 500 mW -
稳压值 22 V -
封装 DO-35 DO-35
产品生命周期 Obsolete Active