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JANTX1N6132、JANTXV1N6132、1N6132对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N6132 JANTXV1N6132 1N6132

描述 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORSESD Suppressors / TVS Diodes T MET BI 500W 12V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 Axial B Axial

最大反向电压(Vrrm) 91.2V 91.2V -

脉冲峰值功率 500 W 500 W -

最小反向击穿电压 108.3 V 108.3 V -

额定功率 - - 500 W

击穿电压 - - 108 V

耗散功率 - - 500 W

钳位电压 - - 172.9 V

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 65 ℃

封装 Axial B Axial

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

包装方式 Bulk Bulk -

产品生命周期 - Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free