IPD90N06S3L-07、IXTA110N055T、IXTA110N055T2对比区别

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型号 IPD90N06S3L-07 IXTA110N055T IXTA110N055T2

描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorD2PAK N-CH 55V 110AN沟道 55V 110A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 7 mΩ -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 107 W 230 W 180W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 - 55 V -

连续漏极电流(Ids) 90A 110A 110A

上升时间 42 ns 30 ns -

输入电容(Ciss) 6500pF @25V(Vds) 3080pF @25V(Vds) 3060pF @25V(Vds)

下降时间 44 ns 24 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 107000 mW 230W (Tc) 180W (Tc)

长度 6.5 mm 9.9 mm -

宽度 6.22 mm 9.2 mm -

高度 2.3 mm 4.5 mm -

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free