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MRF8S26120HR3、MRF8S26120HSR3、MRF6S23140HSR3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF8S26120HR3 MRF8S26120HSR3 MRF6S23140HSR3

描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.6GHZ 27W NI780FET RF N-CH 2.6GHz 28V NI780S Last Buy Day:2016/1/23Trans MOSFET N-CH 68V 3Pin NI-880S T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 NI-780H-2L NI-780S NI-880S

频率 2.69 GHz 2.69 GHz 2.39 GHz

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

输出功率 28 W 28 W 28 W

增益 15.6 dB 15.6 dB 15.2 dB

测试电流 900 mA 900 mA 1.3 A

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

额定电压 65 V 65 V 68 V

额定电压(DC) - - 28.0 V

额定电流 - - 1.30 A

漏源极电压(Vds) - - 28.0 V

封装 NI-780H-2L NI-780S NI-880S

高度 - 4.32 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -