RMW180N03TB、RS1E170GNTB对比区别

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型号 RMW180N03TB RS1E170GNTB

描述 PSOP N-CH 30V 18ATrans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 8Pin HSOP EP T/R

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SMD-8 HSOP-8

耗散功率 3 W 3W (Ta), 23.7W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

上升时间 - 4.8 ns

输入电容(Ciss) 1250pF @15V(Vds) 720pF @15V(Vds)

下降时间 - 3.7 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta), 23.7W (Tc)

通道数 1 -

漏源极电阻 5.6 mΩ -

极性 N-CH -

漏源击穿电压 30 V -

连续漏极电流(Ids) 18A -

额定功率(Max) 3 W -

封装 SMD-8 HSOP-8

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free