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BZX85C10-TAP、BZX85C10 R0、BZX85C10对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX85C10-TAP BZX85C10 R0 BZX85C10

描述 齐纳二极管 1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor1.3W,BZX85C 系列,Taiwan Semiconductor齐纳电压容差为 5% 密封玻璃 ### 齐纳二极管,Taiwan SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BZX85C10  单管二极管 齐纳, 10 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-41 DO-41-2 DO-41

耗散功率 1300 mW 1300 mW 1 W

测试电流 25 mA 25 mA 25 mA

稳压值 10 V 10 V 10 V

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1300 mW 1.3 W 1 W

击穿电压 10.0 V - 10.0 V

针脚数 2 - 2

稳压电流 105 mA - -

额定电压(DC) - - 10.0 V

容差 - - ±5 %

额定功率 - - 1.00 W

正向电压 - - 1.2V @200mA

正向电压(Max) - - 1.2V @200mA

额定功率(Max) - - 1 W

长度 4.1 mm 4.25 mm 5.2 mm

封装 DO-41 DO-41-2 DO-41

宽度 2.6 mm - 2.72 mm

高度 2.6 mm - 2.72 mm

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk

产品生命周期 Active - Active

最小包装 5000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -65℃ ~ 200℃

ECCN代码 - - EAR99