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7132LA55CB、IDT7132SA55P、7132SA55C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7132LA55CB IDT7132SA55P 7132SA55C

描述 SRAM Chip Async Dual 5V 16Kbit 2K x 8 55ns 48Pin SBCDIP TubeHIGH -SPEED 2K ×8双端口静态对中断RAM HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS静态随机存取存储器 16K(2KX8)CMOS DUALPORT RA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 48 - 48

封装 SB-48 DIP-48 DIP-48

长度 61.7 mm - 61.72 mm

宽度 15.2 mm - 15.24 mm

封装 SB-48 DIP-48 DIP-48

厚度 3.30 mm - 3.30 mm

高度 - - 3.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

电源电压 - - 4.5V ~ 5.5V

ECCN代码 - EAR99 -