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MT46V32M8CY-5B:M、MT46V32M8P-5B:M、MT46V32M8P-5B:K对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT46V32M8CY-5B:M MT46V32M8P-5B:M MT46V32M8P-5B:K

描述 DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 2.6V 66Pin TSOPDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 2.6V 66Pin TSOP

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 FBGA-60 TSOP-66 TSOP

引脚数 60 66 -

工作电压 2.50 V 2.50 V 2.50 V

电源电压 2.5V ~ 2.7V 2.5V ~ 2.7V 2.6 V

供电电流 - 175 mA -

位数 8 8 -

存取时间 700 ps 700 ps -

存取时间(Max) 0.7 ns 0.7 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

封装 FBGA-60 TSOP-66 TSOP

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -