锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRFS52N15DTRRP、STB75NF20、STB35NF10T4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS52N15DTRRP STB75NF20 STB35NF10T4

描述 MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60NCN 通道 STripFET™,STMicroelectronicsN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 3

通道数 1 - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 190 W 115 W

漏源极电压(Vds) 150 V 200 V 100 V

输入电容(Ciss) 2770pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 190 W 115 W

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 40.0 A

漏源极电阻 - 0.028 Ω 0.03 Ω

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源击穿电压 - 200 V 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 47.0 A, 75.0 A 40.0 A

上升时间 - 33 ns 60 ns

下降时间 - 29 ns 15 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -50 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 190W (Tc) 115W (Tc)

针脚数 - 3 -

宽度 9.65 mm 9.35 mm 10.4 mm

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm 10.75 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -