IRFU420PBF、SIHU3N50D-GE3对比区别

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型号 IRFU420PBF SIHU3N50D-GE3

描述 VISHAY  IRFU420PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4 VVISHAY  SIHU3N50D-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.6 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-251 TO-251

额定电压(DC) 500 V -

额定电流 2.40 A -

额定功率 42 W -

针脚数 3 3

漏源极电阻 3 Ω 2.6 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 42 W 104 W

阈值电压 4 V 3 V

输入电容 360pF @25V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V -

连续漏极电流(Ids) 2.40 A -

上升时间 8.6 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 360pF @25V(Vds) 175pF @10V(Vds)

下降时间 16 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 104 W

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 2.39 mm 2.39 mm

高度 6.22 mm 6.22 mm

脚长度 9.65 mm -

封装 TO-251 TO-251

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -