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STP150NF55、BUK7506-55A,127、IRF3805PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP150NF55 BUK7506-55A,127 IRF3805PBF

描述 N沟道55V - 0.005欧姆-120A DPAK / TO- 220 / TO- 247 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.005 ohm -120A DPAK/TO-220/TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFETTrans MOSFET N-CH 55V 154A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailN沟道,55V,75A,3.3mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - -

耗散功率 300 W 300 W 300 W

产品系列 - - IRF3805

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds) 7960pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W

上升时间 180 ns - -

下降时间 80 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) -

通道数 - 1 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -