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MSMBG18A、MSMBG18AE3、SMBG18A-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSMBG18A MSMBG18AE3 SMBG18A-E3

描述 DO-215AA 18V 600WDO-215AA 18V 600W600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DO-215AA DO-215AA DO-215AA

最大反向电压(Vrrm) 18V 18V -

脉冲峰值功率 600 W 600 W -

最小反向击穿电压 20 V 20 V -

封装 DO-215AA DO-215AA DO-215AA

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 -