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6116LA25SOGI、6116LA25SOGI8、IDT6116LA45SOI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116LA25SOGI 6116LA25SOGI8 IDT6116LA45SOI

描述 IC SRAM 16Kbit 25NS 24SOICIC SRAM 16Kbit 25NS 24SOICCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 24 24 -

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOIC-24

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

存取时间 25 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

长度 15.4 mm 15.4 mm -

宽度 7.6 mm 7.60 mm -

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOIC-24

厚度 2.34 mm 2.34 mm -

高度 2.34 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99