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SMBJ43D-M3/H、SMBJ43D-M3/I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBJ43D-M3/H SMBJ43D-M3/I

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 43V 600W 2Pin SMB T/RESD 抑制器/TVS 二极管 43V 600W UniDir TransZorb 3.5% Tol

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AA DO-214AA-2

脉冲峰值功率 600 W 600 W

最小反向击穿电压 48.5 V 48.5 V

工作电压 - 43 V

击穿电压 - 52.1 V

耗散功率 - 1 W

钳位电压 - 68.5 V

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 DO-214AA DO-214AA-2

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅