IRF7404PBF、IRF7404QTRPBF、IRF7406TRPBF对比区别

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型号 IRF7404PBF IRF7404QTRPBF IRF7406TRPBF

描述 P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。SOIC P-CH 20V 6.7AHEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -6.70 A - -

额定功率 2.5 W - 2.5 W

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7404 - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 -20.0 V 20 V -

连续漏极电流(Ids) -6.70 A 6.7A 5.8A

上升时间 32 ns 32 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 1500pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds) 1100pF @25V(Vds)

下降时间 65 ns 65 ns 47 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 40 mΩ 0.045 Ω

针脚数 - - 8

额定功率(Max) - - 2.5 W

长度 5 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.75 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -