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CY62157EV30LL-45BVI、CY62157EV30LL-45BVIT、N08L163WC2AB2-70I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62157EV30LL-45BVI CY62157EV30LL-45BVIT N08L163WC2AB2-70I

描述 CY62157EV30 系列 8 Mb (512 K x 16) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态 RAM - VFBGA-48CY62157EV30 系列 8 Mb (512 K x 16) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - VFBGA-48SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 512K x 16 70ns 48Pin BGA

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) ON Semiconductor (安森美)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 48 48 48

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 BGA

供电电流 25 mA - -

位数 16 16 16

存取时间 45 ns 45 ns -

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 70 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.2 V - -

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 BGA

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a