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MCR908JK1CDWE、MCR908JK1ECDWE对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCR908JK1CDWE MCR908JK1ECDWE

描述 IC MCU 8Bit 1.5KB FLASH 20SOICMCU 8Bit HC08 CISC 1.5KB Flash 3.3V/5V 20Pin SOIC W Tube

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 微控制器微控制器

基础参数对比

封装 SOIC-20 SOIC-20

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 20

RAM大小 128 x 8 128 B

频率 - 8 MHz

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max)

无卤素状态 - Halogen Free

时钟频率 - 8.00 MHz

位数 - 8

FLASH内存容量 - 1536 B

I/O引脚数 - 15

存取时间 - 8.00 µs

内核架构 - HC08

内存容量 - 1500 B

模数转换数(ADC) - 1

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 SOIC-20 SOIC-20

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅