IRF1310NPBF、IRF3710ZPBF、IRF1310NLPBF对比区别
型号 IRF1310NPBF IRF3710ZPBF IRF1310NLPBF
描述 N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF3710ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3Pin(3+Tab) TO-262
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
额定功率 160 W 160 W 160 W
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.036 Ω 0.018 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 170 W 160 W 160 W
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 - 2900 pF -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 42A 59A 42.0 A
上升时间 56 ns 77 ns 56.0 ns
输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 160 W 3.8 W
下降时间 40 ns 56 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 160W (Tc) 160W (Tc) -
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 42.0 A
产品系列 - - IRF1310NL
漏源击穿电压 - - 100 V
长度 10.54 mm 10.54 mm -
宽度 4.69 mm 4.69 mm -
高度 8.77 mm 8.77 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99