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IRS21271PBF、IRS21281PBF、IRS2127STRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRS21271PBF IRS21281PBF IRS2127STRPBF

描述 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器电源管理

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 PDIP-8 SOIC-8

上升/下降时间 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns

输出接口数 1 1 1

输出电流 0.29 A - 200 mA

针脚数 - - 8

耗散功率 1000 mW 1000 mW 625 mW

上升时间 - - 130 ns

下降时间 - - 65 ns

下降时间(Max) 65 ns 65 ns 65 ns

上升时间(Max) 130 ns 130 ns 130 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 625 mW

电源电压 9V ~ 20V 9V ~ 20V 12V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V 20 V

电源电压(Min) 10 V 10 V 10 V

长度 10.92 mm 10.92 mm 5 mm

宽度 7.11 mm 7.11 mm 4 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 1.5 mm

封装 PDIP-8 PDIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99