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IRFP4110PBF、IRFP4468PBF、IRFP4310ZPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP4110PBF IRFP4468PBF IRFP4310ZPBF

描述 INFINEON  IRFP4110PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0037 ohm, 20 V, 4 VINFINEON  IRFP4468PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 290A, TO-247ACINFINEON  IRFP4310ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0048 ohm, 20 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 370 W 520 W 280 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0037 Ω 0.0026 Ω 0.0048 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 370 W 520 W 280 W

阈值电压 4 V 2 V 4 V

输入电容 9620 pF 19860 pF 6860 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 180A 290A 134A

上升时间 67 ns 230 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 9620pF @50V(Vds) 19860pF @50V(Vds) 6860pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 370 W 520 W 280 W

下降时间 88 ns 260 ns 57 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 370000 mW 520W (Tc) 280000 mW

长度 15.87 mm 15.87 mm 15.87 mm

宽度 5.31 mm 5.31 mm 5.31 mm

高度 20.7 mm 20.7 mm 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17