IR4427SPBF、IR4427STRPBF、IR4427S对比区别
型号 IR4427SPBF IR4427STRPBF IR4427S
描述 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)MOSFET DRVR 3.3A 2Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作电压 6V ~ 20V - -
额定功率 625 mW - -
上升/下降时间 15ns, 10ns 15ns, 10ns 15ns, 10ns
输出接口数 2 2 2
输出电压 20 V 6.20 V ≤25.3 V
输出电流 2.3 A 2.3 A -
供电电流 1500 μA - -
通道数 2 2 -
耗散功率 0.625 W 625 mW -
上升时间 35ns (Max) 35 ns -
热阻 200℃/W (RθJA) - -
下降时间 25ns (Max) 25 ns -
下降时间(Max) 25 ns 25 ns -
上升时间(Max) 35 ns 35 ns -
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
耗散功率(Max) 625 mW 625 mW -
电源电压 6V ~ 20V 6V ~ 20V 6V ~ 20V
电源电压(Max) 20 V 20 V -
电源电压(Min) 6 V 6 V -
针脚数 - 8 -
电源电压(DC) - - 20.0V (max)
产品系列 - - IR4427
长度 5 mm 4.98 mm -
宽度 4 mm 3.99 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -