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APT6030BVFRG、IRFI520G、APT6030BVFR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6030BVFRG IRFI520G APT6030BVFR

描述 Mosfet n-Ch 600V 21A To-247 - Apt6030bvfrgMOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FPPower Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Vishay Siliconix Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 - -

封装 TO-247 TO-220-3 TO-247

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 21.0 A - -

输入电容 3.75 nF - -

栅电荷 150 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 21.0 A - -

上升时间 10 ns - -

输入电容(Ciss) 3750pF @25V(Vds) 360pF @25V(Vds) -

下降时间 8 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 298000 mW 37W (Tc) -

通道数 - 1 -

耗散功率 - 37W (Tc) -

封装 TO-247 TO-220-3 TO-247

长度 - 10.41 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 15.49 mm -

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -