M58LW032D110N1F、M58LW032D110N6、M58LW032D110N1E对比区别

高亮显示差异参数

型号 M58LW032D110N1F M58LW032D110N6 M58LW032D110N1E

描述 32兆位4Mb的X8 ， X16的2Mb ，统一座3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory32兆位4Mb的X8 ， X16的2Mb ，统一座3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory32兆位4Mb的X8 ， X16的2Mb ，统一座3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片

封装 TSSOP TSOP-56 TSSOP

安装方式 - Surface Mount -

封装 TSSOP TSOP-56 TSSOP

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 - 110 GHz -

存取时间 - 110 ns -

内存容量 - 32000000 B -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -