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KSD362-R、KSD362R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSD362-R KSD362R

描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PINB / W电视水平偏转输出 B/W TV Horizontal Deflection Output

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3

额定电压(DC) 70.0 V 70.0 V

额定电流 5.00 A 5.00 A

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 70 V

集电极最大允许电流 - 5A

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @5A, 5V

额定功率(Max) - 40 W

封装 TO-220 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99