SI4569DY-T1-E3、SI4569DY-T1-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI4569DY-T1-E3 SI4569DY-T1-GE3

描述 MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOICMOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

输入电容(Ciss) 855pF @20V(Vds) 855pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - 3.1W, 3.2W

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free