2SC2643、SD1488、NTE366对比区别
描述 NPN 17V 6A射频与微波晶体管UHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONSTrans RF BJT NPN 16V 4A 103000mW 3Pin
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管分立器件
安装方式 - Surface Mount Screw
封装 - M111 -
引脚数 - - 3
额定电压(DC) - 16.0 V -
额定电流 - 8.00 A -
击穿电压(集电极-发射极) 17 V 16 V -
增益 - 5.8 dB -
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @1A, 5V -
额定功率(Max) - 117 W -
耗散功率 - - 103000 mW
输出功率 - - 25 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 103000 mW
极性 NPN - -
集电极最大允许电流 6A - -
封装 - M111 -
高度 - - 6.85 mm
工作温度 - 200℃ (TJ) -
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 - Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free -
ECCN代码 - - EAR99
HTS代码 - - 85412900951