IRL520、IRL520N、IRL520NPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRL520 IRL520N IRL520NPBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3TO-220AB N-CH 100V 10AINFINEON  IRL520NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 180 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - TO-220 TO-220-3

额定功率 - - 48 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.18 Ω

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - - 48 W

阈值电压 - - 2 V

输入电容 - - 440 pF

漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V

漏源击穿电压 - - 100 V

连续漏极电流(Ids) - 10.0 A 10A

上升时间 - 35.0 ns 35 ns

输入电容(Ciss) - - 440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 48 W

下降时间 - - 22 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 48W (Tc)

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 10.0 A -

产品系列 - IRL520N -

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 8.77 mm

封装 - TO-220 TO-220-3

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17