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MCP632T-E/SN、MCP633T-E/SN、TSV991IYDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP632T-E/SN MCP633T-E/SN TSV991IYDT

描述 24兆赫, 2.5毫安运算放大器 24 MHz, 2.5 mA Op Amps24兆赫, 2.5毫安运算放大器 24 MHz, 2.5 mA Op Amps轨到轨输入/输出20 MHz的GBP运算放大器 Rail-to-rail input/output 20 MHz GBP operational amplifiers

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

电源电压(DC) 2.50V (min) 2.50V (min) -

输出电流 70 mA ≤150 mA 35 mA

供电电流 2.5 mA 2.5 mA 820 µA

电路数 2 1 1

通道数 2 1 -

共模抑制比 81 dB 63 dB -

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -

增益频宽积 24 MHz 24 MHz 20 MHz

输入补偿电压 1.8 mV 1.8 mV 100 µV

输入偏置电流 4 pA 4 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 63 dB 63 dB 62 dB

电源电压 2.5V ~ 5.5V - -

增益带宽 - - 20 MHz

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 2.5 V -

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm 3.9 mm -

高度 1.25 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99