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ISL9011AIRMGZ、ISL9011IRMGZ、ISL9011AIRMGZ-T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISL9011AIRMGZ ISL9011IRMGZ ISL9011AIRMGZ-T

描述 双路LDO具有低噪声,低智商,和高PSRR Dual LDO with Low Noise, Low IQ, and High PSRR双路LDO具有低噪声,低智商,和高PSRR Dual LDO with Low Noise, Low IQ, and High PSRR低压差稳压器 W/ANNEAL LW NOISE HI PSRRLDO 10LD 3X3

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Intersil (英特矽尔) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 稳压芯片稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DFN-10 DFN-10 DFN-10

输出接口数 2 - -

输出电流 150mA, 300mA 150mA, 300mA 150mA, 300mA

静态电流 0.045 mA - -

输入电压(Max) 6.5 V - 6.5 V

输入电压(Min) 2.3 V - 2.3 V

精度 ±1.8 % - -

输入电压 2.3V ~ 6.5V 2.3V ~ 6.5V 2.3V ~ 6.5V

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

封装 DFN-10 DFN-10 DFN-10

长度 - - 3 mm

宽度 - - 3 mm

高度 - - 0.9 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free