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C35M、STK12C68-C35、STK12C68-C45I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 C35M STK12C68-C35 STK12C68-C45I

描述 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, MO-058, DIP-2864千位( 8K ×8 )自动存储的nvSRAM 25纳秒, 35纳秒,和45 ns访问时间 64 Kbit (8K x 8) AutoStore nvSRAM 25 ns, 35 ns, and 45 ns access times8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DIP-28

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 DIP CDIP-28 DIP

封装 DIP CDIP-28 DIP

长度 - 35.92 mm -

宽度 - 7.87 mm -

高度 - 2.59 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

存取时间 - 35 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -