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DMN2004K-7、TN0200K-T1-E3、DMN2004WK-7对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN2004K-7 TN0200K-T1-E3 DMN2004WK-7

描述 DMN2004K-7 编带VISHAY  TN0200K-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 730 mA, 20 V, 400 mohm, 4.5 V, 600 mVDMN2004WK-7 编带

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-323-3

额定电压(DC) - - 20.0 V

额定电流 - - 540 mA

通道数 1 - 1

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 350 mW 350 mW 0.2 W

输入电容 - - 150 pF

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 540 mA 730 mA 540 mA

输入电容(Ciss) 150pF @16V(Vds) - 150pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 350 mW - 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 350mW (Ta) - 200mW (Ta)

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.55 Ω 0.4 Ω -

阈值电压 1.6 V 600 mV -

上升时间 8.4 ns - -

正向电压(Max) 1 V - -

下降时间 37.6 ns - -

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-323-3

长度 2.9 mm 3.04 mm -

高度 1 mm 1.02 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99