IS43R16160B-5TL、K4H561638H-UCCC、IC43R16160B-5TL对比区别

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型号 IS43R16160B-5TL K4H561638H-UCCC IC43R16160B-5TL

描述 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66Pin TSOP II (400 mil) RoHS256Mbit DDR SDRAM 200MHz 66-TSOP - K4H561638H-UCCCDDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, LEAD FREE, TSOP2-66

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Samsung (三星) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount - -

封装 TSOP-66 TSOP TSSOP

存取时间 5 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 2.5 V 2.6 V -

电源电压(Max) 2.7 V - -

电源电压(Min) 2.3 V - -

时钟频率 - 200 MHz -

长度 22.42 mm - -

宽度 10.29 mm - -

高度 1.05 mm - -

封装 TSOP-66 TSOP TSSOP

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free -