IRFR3910PBF、STD10NF10T4、IRFR3910TRPBF对比区别
型号 IRFR3910PBF STD10NF10T4 IRFR3910TRPBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR3910PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 16A, D-PAK 新STMICROELECTRONICS STD10NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 130 mohm, 10 V, 3 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - - 52 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.115 Ω 0.13 Ω 0.115 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 79 W 50 W 79 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
输入电容 640pF @25V - 640 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 13.0 A 16A
上升时间 27 ns 25 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 640pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds) 640pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 79 W 50 W 79 W
下降时间 25 ns 8 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 79000 mW 50W (Tc) 79W (Tc)
额定电压(DC) 100 V 100 V -
额定电流 16.0 A 13.0 A -
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 100 V 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
产品系列 IRFR3910 - -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -