M29DW323DT70ZE6F、M29W320ET70ZE6E、M29DW323DB70ZE6对比区别

高亮显示差异参数

型号 M29DW323DT70ZE6F M29W320ET70ZE6E M29DW323DB70ZE6

描述 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA T/RMICRON  M29W320ET70ZE6E  闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 Flash芯片Flash芯片

封装 TFBGA TFBGA-48 TFBGA

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 48 -

封装 TFBGA TFBGA-48 TFBGA

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

电源电压(DC) - 2.70V (min) -

供电电流 - 10 mA -

针脚数 - 48 -

位数 - 8, 16 -

存取时间 - 70 ns -

内存容量 - 4000000 B -

存取时间(Max) - 70 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -