1N752C-1E3TR、JAN1N752C-1、1N752C对比区别

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型号 1N752C-1E3TR JAN1N752C-1 1N752C

描述 DO-35 5.6V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESLeaded Zener Diode General Purpose

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管

封装 DO-35 DO-35 DO-35

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Obsolete Active Active

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

稳压值 5.6 V 5.6 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率 500 mW - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -