IR2101STRPBF、IR2183SPBF、IR2101SPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IR2101STRPBF IR2183SPBF IR2101SPBF

描述 INFINEON  IR2101STRPBF  芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8INFINEON  IR2183SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-8INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2101SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC-8 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 10.0V (min) 10.0V (min) 10.0V (min)

工作电压 10V ~ 20V - 10V ~ 20V

输出接口数 2 2 2

输出电压 10V ~ 20V 10.20 V ≥10.0 V

针脚数 8 8 8

耗散功率 0.625 W 625 mW 625 mW

产品系列 - - IR2101

上升时间 170 ns 40 ns 170ns (Max)

下降时间 90 ns 20 ns 90ns (Max)

下降时间(Max) 90 ns 35 ns 90 ns

上升时间(Max) 170 ns 60 ns 170 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V 20 V

电源电压(Min) 10 V 10 V 10 V

上升/下降时间 100ns, 50ns 40ns, 20ns -

输出电流 210 mA 1.4.2.3 A -

通道数 2 2 -

静态电流 270 µA 1 mA -

额定功率 - 625 mW -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -