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MCP14E11-E/SN、MCP14E11T-E/SN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP14E11-E/SN MCP14E11T-E/SN

描述 MCP14E9/E10/E11 MOSFET 驱动器### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Microchip3 A 双输出 缓冲器/MOSFET 驱动器 带单独使能 采用8-SOIC 150 mil封装

数据手册 --

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.50V (min) 4.50V (min)

上升/下降时间 25 ns 25 ns

输出接口数 2 2

输出电流 3 A 3 A

耗散功率 669 mW 699 mW

上升时间 40ns (Max) 14 ns

下降时间 40ns (Max) 17 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 30 ns 30 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 669 mW 669 mW

电源电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V

工作电压 4.5V ~ 18V -

通道数 2 -

电源电压(Max) 18 V -

电源电压(Min) 4.5 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.25 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -