IRL530PBF、IRL540PBF、IRL530NPBF对比区别

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型号 IRL530PBF IRL540PBF IRL530NPBF

描述 N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY  IRL540PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 100 V, 77 mohm, 5 V, 2 VINFINEON  IRL530NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 100 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.16 Ω 0.077 Ω 0.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 79 W 150 W 79 W

阈值电压 2 V 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 28.0 A 17A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

输入电容 930pF @25V - 800 pF

上升时间 100 ns - 53 ns

输入电容(Ciss) 930pF @25V(Vds) - 800pF @25V(Vds)

下降时间 48 ns - 26 ns

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 88 W - 79W (Tc)

额定功率 - - 79 W

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 100 V

额定功率(Max) - - 79 W

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

长度 10.41 mm - 10.54 mm

宽度 4.7 mm - 4.69 mm

高度 9.01 mm - 8.77 mm

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)