STF4N62K3、STQ3N45K3-AP、STH180N10F3-2对比区别
型号 STF4N62K3 STQ3N45K3-AP STH180N10F3-2
描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 4
封装 TO-220-3 TO-92-3 TO-263-3
针脚数 - 3 4
漏源极电阻 1.7 Ω 3.2 Ω 0.0039 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 2.5 W 315 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 2 V
输入电容 - - 6665 pF
漏源极电压(Vds) 620 V 450 V 100 V
上升时间 9 ns 5.4 ns 97.1 ns
输入电容(Ciss) 550pF @50V(Vds) 150pF @25V(Vds) 6665pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 25 W 2.5 W 315 W
下降时间 19 ns 22 ns 6.9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25W (Tc) 3W (Tc) 315W (Tc)
连续漏极电流(Ids) - 0.6A -
长度 10.4 mm 4.95 mm 15.8 mm
宽度 4.6 mm 3.94 mm 10.4 mm
高度 16.4 mm 4.95 mm 4.8 mm
封装 TO-220-3 TO-92-3 TO-263-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17