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BFS482、UPA800T-T1-A、UPA800T-T1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFS482 UPA800T-T1-A UPA800T-T1

描述 NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF TransistorRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN,,高频低噪声放大器NPN硅外延型晶体管 HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NEC (日本电气) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

封装 SOT-363 SOT-323-6 -

封装 SOT-363 SOT-323-6 -

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

击穿电压(集电极-发射极) - 10 V -

增益 - 5.5dB ~ 7.5dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 3V -

额定功率(Max) - 200 mW -