BSO615CGHUMA1、SQ1563AEH-T1_GE3对比区别

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型号 BSO615CGHUMA1 SQ1563AEH-T1_GE3

描述 INFINEON  BSO615CGHUMA1  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.1 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 VMOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 PG-DSO-8 SC-70-6

额定电流 3.10 A -

额定功率 2 W -

针脚数 8 -

漏源极电阻 0.07 Ω -

极性 N-Channel, P-Channel -

耗散功率 2 W -

阈值电压 1.6 V -

输入电容 380 pF -

栅电荷 22.5 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A -

输入电容(Ciss) 380pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2 W 1.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW -

长度 5 mm -

宽度 4 mm -

高度 1.45 mm -

封装 PG-DSO-8 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -