2N3738、JANTX2N3739、2N3739对比区别

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型号 2N3738 JANTX2N3739 2N3739

描述 Trans GP BJT NPN 225V 1A 3Pin(2+Tab) TO-66TO-66 NPN 300V 1ANPN Transistor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-66 TO-66 TO-66

耗散功率 20 W 20 W 20 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 20000 mW 20000 mW 20000 mW

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V -

集电极最大允许电流 - 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 25 @250mA, 10V -

额定功率(Max) - 20 W -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -