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TCET1103、TCET1108、CNY17-4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TCET1103 TCET1108 CNY17-4

描述 VISHAY  TCET1103  光电耦合器, 晶体管输出, 1通道, DIP, 4 引脚, 60 mA, 5 kV, 100 %VISHAY  TCET1108  光耦合器CNY 系列,Vishay Semiconductor### 光耦合器,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 4 4 6

封装 DIP-4 DIP-4 DIP-6

电源电压(DC) 5.00 V - -

额定电压(DC) 70.0 V 70.0 V 32.0 V

上升/下降时间 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 2 µs

输出电压 70.0 V 70.0 V 70.0 V

通道数 1 1 1

针脚数 4 4 6

正向电压 1.25 V 1.25 V 1.39 V

输入电流 50.0 mA 50.0 mA 60 mA

耗散功率 265 mW 265 mW 100 mW

隔离电压 5 kV 5 kV 5 kV

正向电流 60 mA 60 mA 60 mA

输出电压(Max) 70 V 70 V 70 V

输入电流(Min) 60 mA - 60 mA

正向电流(Max) 60 mA 60 mA 60 mA

下降时间 4.7 µs 4.7 µs 15 µs

工作温度(Max) 100 ℃ 100 ℃ 100 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃

上升时间 - 3 µs 4.6 µs

正向电压(Max) - 1.6 V 1.65 V

耗散功率(Max) - 265 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - - 70 V

长度 4.75 mm 4.75 mm 8.7 mm

宽度 6.3 mm 6.3 mm 6.5 mm

高度 3.6 mm 3.6 mm 3.81 mm

封装 DIP-4 DIP-4 DIP-6

工作温度 -40℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃ -55℃ ~ 110℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - - EAR99