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PBSS5330PA、PBSS5560PA、PBSS5580PA,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS5330PA PBSS5560PA PBSS5580PA,115

描述 Small Signal Bipolar TransistorNXP  PBSS5560PA  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 90 MHz, 2.1 W, -5 A, 265 hFENXP PBSS5580PA,115 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:70, 100 MHz, 3引脚 HUSON封装

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 - SOT-1061 HUSON-3

额定功率 - - 2.1 W

耗散功率 - 2.1 W 2.1 W

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) - 90 140 @2A, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - - 265

额定功率(Max) - - 2.1 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 2100 mW

针脚数 - 3 -

极性 - PNP -

集电极最大允许电流 - 5A -

直流电流增益(hFE) - 265 -

长度 - 2.1 mm 2.1 mm

宽度 - 2.1 mm 2.1 mm

高度 - 0.65 mm 0.65 mm

封装 - SOT-1061 HUSON-3

工作温度 - - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -