IRG4BC30FD-SPBF、IRG4BC30FDSTRRP、IRG4BC30FD-S对比区别

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型号 IRG4BC30FD-SPBF IRG4BC30FDSTRRP IRG4BC30FD-S

描述 INFINEON  IRG4BC30FD-SPBF  单晶体管, IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-263, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin (2+Tab) D2PAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 100 W 100 W 100 W

耗散功率 100 W 100000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 42 ns 42 ns 42 ns

额定功率(Max) 100 W 100 W 100 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 100 W 100000 mW -

针脚数 3 - -

极性 N-Channel - -

上升时间 27.0 ns - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -