锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STF20N95K5、STF6N95K5、STF8NM60N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STF20N95K5 STF6N95K5 STF8NM60N

描述 STF20N95K5 系列 950 V 330 mOhm N-沟道 SuperMESH 5™ 功率 Mosfet - TO-220FPN沟道950 V, 1 I © (典型值) , 9齐纳保护SuperMESHâ ??在DPAK ¢ 5功率MOSFET , TO- 220FP , TO- 220 , TO- 247和IPAK N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protected SuperMESH™ 5 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 and IPAKN沟道600 V , 0.56 Ω , 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , IPAK , DPAK , D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 0.275 Ω 1 Ω 650 mΩ

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 40 W 25 W 25 W

漏源极电压(Vds) 950 V 950 V 600 V

漏源击穿电压 - - 600 V

连续漏极电流(Ids) 17.5A 9A 3.50 A

上升时间 12 ns 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 1500pF @100V(Vds) 450pF @100V(Vds) 560pF @50V(Vds)

下降时间 20 ns 21 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)

针脚数 3 3 -

阈值电压 4 V 4 V -

正向电压(Max) 1.5 V - -

额定功率(Max) 40 W 25 W -

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 9.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free