锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

AUIRF3205Z、STP80NF55-06、STP80NF55L-06对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF3205Z STP80NF55-06 STP80NF55L-06

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STP80NF55L-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 4 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 6.5 mΩ 0.0065 Ω 0.008 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 170 W 300 W 300 W

产品系列 AUIRF3205Z - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

输入电容(Ciss) 3450pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 170 W 300 W 300 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 55.0 V 55.0 V

额定电流 - 80.0 A 80.0 A

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源击穿电压 - 55.0 V 55.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 80.0 A

上升时间 - 155 ns 180 ns

下降时间 - 65 ns 80 ns

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)

通道数 - 1 -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm

高度 16.51 mm 9.15 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17